对于国产芯片制造来说,现在国人所关注的焦点基本上都是在光刻机方面,因为现在我们无法得到ASML的EUV光刻机,所以,我们要想在先进工艺制程方面,获得突破,首先要突破的就是国产光刻机的制造。
不过,要想获得高端光刻机,尤其是EUV光刻机的突破,可不是有一股热情、投资巨额资金就可以解决的,关键还是技术,核心技术上的突破。
双工件台、曝光系统两大核心关键技术,这其中有光源、镜片、浸液系统,每一个都是人类顶尖智慧的结晶,要想实现高端光刻机的突破,这些关键核心点则需要被全部拿下。那么,我们有无这方面的可能呢?
有!我们不但有这方面的潜力,而且在国产高端光刻机的进阶之路上,这些重要环节,我们都在顺利推进中。
双工件台:华卓精科携手清华大学联合攻坚。
EUV曝光系统:长春光机所主攻EUV曝光系统,自研物镜系统,基于哈工大DPP-EUV光源推进!
ArF光刻胶:南大光电的ArF光刻胶已经从研发开始走向生产,进入客户测试阶段,可以用于28nm到7nm工艺的先进工艺!
准分子激光器:2018年,科益虹源成功研制浸没式193nm准分子激光器;
浸液系统:启尔机电依托浙江大学科研成果,推出了可用于最高11nm制程浸没式光刻机的浸液系统。
如果,将这些科研成果集成到一起,是否会是国产高端光刻机获得突破的时候?而现在上海微电子则致力于这些关键环节的总体集成。
现在市面上已经有传言称,上海微电子将在今年年底给大家一个惊喜,而最有可能的则是SSA800/10W光刻机。
据悉,SSA800/10W光刻机采用ArF光源、NA1.35透镜组、精密磁悬浮双工件台以及超纯水浸入系统。在性能上可以实现28纳米单次曝光,多次曝光可以生产11纳米工艺制程的芯片,具备7纳米制程的潜力。
高端光刻机的研制,不是一两个科研人员,也不是一两家科研企业就可以搞定的,ASML的成就是联合西方多个国家的科研团队获得的成功,而对于我们来说,就需要进行多家单位的联合研制,集成多个科研单位的成就,进行科学攻关。
不积跬步无以至千里,国产高端光刻机同样如此,点点滴滴的进步,就可以换来国产高端光刻机的成功,相信我们的科研企业,相信我们的科研人员,国产高端光刻机,未来可期!